詳解 半導体工学 演習


目次

第1章 序論
 1・1 半導体の定義
 1・2 半導体の種類

第2章 原子の構造
 2・1 原子
 2・2 水素原子
 2・3 電子の軌道
 2・4 水素原子の電子の軌道間遷移
 2・5 物質波の仮説と量子数
 2・6 固体の結晶
 2・7 固体結晶の結合形式
 2・8 電子のエネルギー準位の帯構造
 2・9 電子のエネルギーの分布
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第3章 半導体の電気伝導
 3・1 半導体の電流キャリア
 3・2 導電率と電流キャリアの移動度
 3・3 真性半導体
 3・4 n形半導体
 3・5 p形半導体
 3・6 化合物半導体
 3・7 半導体中の電流キャリア
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第4章 半導体における少数キャリア
 4・1 少数キャリアの注入
 4・2 注入された少数キャリアの振舞
 4・3 注入された少数キャリアの拡散
 4・4 トラップ準位
 4・5 再結合中心
 4・6 擬フェルミ準位
 4・7 ボルツマン分布
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第5章 金属と半導体の接触
 5・1 金属とn形半導体との接触
 5・2 金属とp形半導体との接触
 5・3 表面準位
 5・4 電圧−電流特性の式
 5・5 障壁層についての式
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第6章 p-n接合半導体
 6・1 p-n接合
 6・2 遷移領域
 6・3 p-n接合の電圧−電流特性
 6・4 p-n接合の降伏現象
 6・5 p-n接合のまとめ
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第7章 トランジスタ
 7・1 定性的な説明
 7・2 トランジスタにおけるキャリアの動作
 7・3 トランジスタ作用
 7・4 トランジスタのまとめ
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第8章 スイッチング作用素子
 8・1 p-n-p-n接合
 8・2 p-n-p-n接合のスイッチング作用
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第9章 バリスタ
 9・1 バリスタ概説
 9・2 バリスタの電圧−電流特性
 9・3 バリスタのまとめ
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第10章 サーミスタ
 10・1 サーミスタ概説
 10・2 サーミスタの抵抗の温度依存性
 10・3 サーミスタのまとめ
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第11章 半導体の光電的性質
 11・1 光電子放射
 11・2 光起電力
 11・3 光導電性
 11・4 電界発光
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第12章 半導体の熱電的性質
 12・1 ゼーベック効果
 12・2 トムソン効果
 12・3 ペルチエ効果
 12・4 各係数間の関係
 12・5 電子冷却
 12・6 熱電発電
 12・7 素子の熱放出
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第13章 半導体の磁電的性質
 13・1 ホール効果
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第14章 半導体材料
 14・1 半導体材料の分類
 14・2 半導体材料の特性を決定する物理量

付録


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